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應(yīng)用于PECVD等離子增強化學(xué)氣相沉積

應(yīng)用于PECVD等離子增強化學(xué)氣相沉積

詳細(xì)介紹

PECVD的原理與應(yīng)用:

PECVD:是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強,很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD).

 

實驗機理:是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強,很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。

優(yōu)點:基本溫度低;沉積速率快;成膜質(zhì)量好,針孔較少,不易龜裂

在PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,就會使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作為集成電路最后的鈍化保護層,提高集成電路的可靠性

PECVD種類:

一種最簡單的電感耦合產(chǎn)生等離子體的PECVD裝置,可以在實驗室中使用。因為負(fù)載是電感線圈所以這類負(fù)載也稱感性負(fù)載。

一種平行板結(jié)構(gòu)裝置。襯底放在具有溫控裝置的下面平板上,壓強通常保持在133Pa左右,射頻電壓加在上下平行板之間,于是在上下平板間就會出現(xiàn)電容耦合式的氣體放電,并產(chǎn)生等離子體。

K-mate 系列射頻電源及自動匹配器為國內(nèi)多家知名企業(yè)與高校如中科院,合肥科晶等單位保持長期射頻電源及自動匹配器供應(yīng)。在電感耦合管式爐,與平行板等PECVD設(shè)備上針對線圈負(fù)載與容性負(fù)載。配上對應(yīng)的不同阻抗網(wǎng)絡(luò)的射頻自動匹配器。能夠迅速調(diào)整匹配起輝放電。且能長時間穩(wěn)定運行。

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